Обзор продукта
Оборудование для тонкопленочного испарения с помощью ионного-серии IAE объединяет физическое осаждение из паровой фазы (PVD) с бомбардировкой ионным пучком в-времени. Направляя энергичные ионы на подложку во время термического или электронно-лучевого испарения, система передает импульс конденсирующимся адатомам, реструктурируя микроструктуру растущей пленки.
Эта передача кинетической энергии устраняет столбчатые пустоты, подавляет поглощение влаги и блокирует показатель преломления от изменений влажности окружающей среды. Эта платформа, созданная для непрерывной работы в несколько смен-на линиях по производству оптических и полупроводниковых приборов, обрабатывает самые разнообразные подложки: от высокоточной-лазерной оптики до кремниевых пластин.
-
![Оборудование для ионного-вакуумного испарения]()
Оборудование для ионного-вакуумного испаренияСистема ионного-вакуумного испарения объединяет источники термического или электронно-лучевого испарения в высоком-вакууме с источником ионов типа Кауфмана-или Энда-Холла. Бомбардируя растущую...Смотреть больше -
![Ионно--система осаждения тонких пленок]()
Ионно--система осаждения тонких пленокСистема ионного-осаждения тонких пленок сочетает в себе много-карманное электронное-лучевое/термическое испарение с высокопроизводительным-источником ионов типа Энда-Холла или Кауфмана-. Во время...Смотреть больше -
![Оборудование для ионно-лучевого испарения]()
Оборудование для ионно-лучевого испаренияСистема IBAE сочетает в себе электронно--лучевое или термическое испарение со встроенным широко-источником ионов. Одновременная ионная бомбардировка во время роста пленки передает кинетическую...Смотреть больше -
![Оборудование для ионного-осаждения тонких пленок]()
Оборудование для ионного-осаждения тонких пленокОборудование для ионного-осаждения тонких пленок серии IA объединяет электронно-термическое испарение с источником ионов Кауфмана или Энда-Холла. Энергичная ионная бомбардировка (смесь аргона и...Смотреть больше -
![Тонкопленочная система ионного-испарения]()
Тонкопленочная система ионного-испаренияСистема тонкопленочных технологий ионного-испарения (IAE) сочетает в себе физическое осаждение из паровой фазы (PVD) и бомбардировку энергичными ионами. Во время термического или...Смотреть больше -
![Оборудование для ионного-тонкопленочного испарения]()
Оборудование для ионного-тонкопленочного испаренияПромышленная-система ионного-вспомогательного испарения (IAE), объединяющая много-карманное электронно-лучевое-испарение с источником энергичного ионного луча (конфигурация Конца-Холла или...Смотреть больше
Технические характеристики
|
Параметр |
Спецификация |
|
Предельное базовое давление |
< 5.0 × 10⁻⁵ Pa (achieved within 45 mins via cryogenic/turbomolecular pumping) |
|
Источники испарения |
Мульти-карманный электронно-лучевой пистолет-(от 4 × 15 куб.см до 40 куб.см) и резистивные источники тепла |
|
Тип источника ионов |
Бессеточный источник ионов типа End-Холла/Кауфмана- (напряжение луча: 50–1500 В, ток ионов: 0,1–3 А) |
|
Контроль толщины пленки |
Кварцевые микровесы (QCM) + Оптическая система контроля (OMS), точность ± 0,1 нм |
|
Крепление подложки |
Планетарное вращение, радиус купола адаптирован к геометрии подложки |
|
Нагрев подложки |
Массив лучистого нагревателя, до 350 градусов с однородностью ПИД ± 2 градуса |
|
Архитектура управления |
ПЛК + промышленный ПК, автоматическое выполнение рецептов, регистрация данных в соответствии с SECS/GEM |
Ионно--процесс осаждения
Генерация пара:
Материал испаряется из электронно-лучевого тигля или термолодочки с контролируемой скоростью осаждения (0,1–2,0 нм/с).
01
Передача импульса:
Энергичные ионы (Ar⁺, O⁺) бомбардируют поверхность подложки одновременно с приходящим потоком пара от E-луча или теплового источника.
02
Модификация микроструктуры:
Ионное воздействие увеличивает поверхностную подвижность адатомов, предотвращая столбчатый рост зерен и достигая объемной плотности, близкой к -(плотность упаковки > 99%).
03
Поправка на стехиометрию:
Реактивная ионная поддержка (O₂) обеспечивает полное окисление суб-оксидов в пленках оксидов металлов (например, Ta₂O₅, Nb₂O₅, SiO₂), устраняя полосы поглощения в УФ-БИК-спектре.
04
Киноматериалы
Оксиды:
SiO₂, Ta₂O₅, TiO₂, Nb₂O₅, HfO₂ (высокая стабильность показателя преломления для оптических фильтров).
Фториды:
MgF₂, LaF₃ (слои с низким показателем преломления для широкополосных просветляющих покрытий).
Металлы:
Al, Ag, Au, Ti (адгезионные слои и металлические отражатели).
Приложения
Лазерная и прецизионная оптика:
Полосовые фильтры, дихроичные зеркала и лазерные защитные покрытия, требующие высокого порога повреждения, вызванного лазером-(LIDT), и нулевого спектрального сдвига при термическом воздействии.
Защитное стекло LiDAR:
Прочные тонкие пленки с -отражающим эффектом (AR) и защитой от-грязей, устойчивые к суровым атмосферным воздействиям на открытом воздухе.
Полупроводниковая упаковка:
Слои влагозащитной-герметизации и металлические контактные площадки, нанесенные при низких температурах подложки.
Биомедицинские датчики:
Биосовместимые оптические интерференционные покрытия для диагностических микрофлюидных чипов.
Кастомизация
Камеры и внутренняя планировка спроектированы с учетом конкретных производственных площадей и технологических требований:
Размеры камеры:
Возможность масштабирования от научно-исследовательских подразделений R=600 мм до производственных систем производительностью=1200 мм-.
Насосные агрегаты:
Возможна конфигурация с турбомолекулярными насосами Maglev, крионасосами и вспомогательными линиями нагнетателей Рутса в зависимости от требований к газовой нагрузке.
Интеграция источников:
Конфигурации с двумя-источниками ионов или установки для совместного-осаждения сложных сплавов и много-слойных градиентных пленок.
Уровень автоматизации:
Интеграция с автоматизированными системами переноса подложек в чистых помещениях (инструменты EFEM / Vacuum Cluster).
Контроль качества
Обнаружение утечек:
Каждая вакуумная камера проверяется на утечку гелия-с помощью масс-спектрометра (скорость утечки < 1,0 × 10⁻¹⁰ Па·м³/с).
Отслеживаемость компонентов:
Вакуумные клапаны, контроллеры массового расхода (MFC) и источники питания произведены сертифицированными промышленными брендами уровня 1 (MKS, Inficon, НДС).
Заводские приемочные испытания (FAT):
Перед отправкой проведите-тесты, проверяющие базовое давление, кривую накачки, стабильность источника и 24-непрерывную работу в пустой камере.
Метрологическая валидация:
Серии образцов проверены с помощью спектрофотометра (коэффициент пропускания/отражения) и атомно-силовой микроскопии (шероховатость поверхности Ra < 0,5 нм).
Установка и техническая поддержка
Руководство по подготовке места:
Перед поставкой предоставляются комплексные требования к инженерным системам (расход/давление охлаждающей воды, сжатый воздух в чистых помещениях, распределение электроэнергии, вытяжная вентиляция).
Ввод в эксплуатацию под ключ:
Инженеры по обслуживанию на местах выполняют механическую сборку, вакуумную-обжиговую обработку, калибровку ионным пучком и подписывают первоначальный технологический рецепт-на-площадке.
Обучение операторов:
Структурированное практическое обучение-по плановому техническому обслуживанию, безопасности пылесоса, работе с программным обеспечением и устранению неполадок.
Поддержка жизненного цикла:
Интерфейс удаленной диагностики для быстрого устранения неполадок программного обеспечения; региональный запас критически изнашиваемых изделий (нитей, тиглей, щитков), отгруженных в течение 48 часов.
Часто задаваемые вопросы
Мы хорошо-известны как один из ведущих производителей и поставщиков оборудования для производства тонких пленок с ионным-испарением в Китае. Если вы собираетесь купить специальное оборудование для производства тонких пленок с ионным-испарением, произведенное в Китае, получите прайс-лист на нашем заводе. Для консультации по цене свяжитесь с нами.
