Оборудование для ионно-лучевого испарения

Оборудование для ионно-лучевого испарения

Детали
Система IBAE сочетает в себе электронно--лучевое или термическое испарение со встроенным широко-источником ионов. Одновременная ионная бомбардировка во время роста пленки передает кинетическую энергию конденсирующимся адатомам, устраняя столбчатые микроструктуры и создавая тонкие пленки с -объемной-плотностью и минимальным спектральным сдвигом, вызванным влажностью-.
Категория
Оборудование для ионного-тонкопленочного испарения
 
Отправить запрос
Описание
Технические параметры

Система IBAE сочетает в себе электронно--лучевое или термическое испарение со встроенным широко-источником ионов. Одновременная ионная бомбардировка во время роста пленки передает кинетическую энергию конденсирующимся адатомам, устраняя столбчатые микроструктуры и создавая тонкие пленки с -объемной-плотностью и минимальным спектральным сдвигом, вызванным влажностью-.

 

Технические характеристики

 

Параметр

Спецификация

Базовое давление

<= 5.0 x 10^(-5) Pa (achieved within 35 minutes)

Рабочее давление

От 1,0 x 10^(-1) до 1,0 x 10^(-2) Па

Тип источника ионов

Конец без сетки-Холл/Источник ионов Кауфмана

Энергия ионного луча

от 50 до 1500 эВ (стабилизированный по замкнутому-контуру)

Плотность тока ионного пучка

от 0 до 2,5 мА/см^2

Источники испарения

Много-карманная электро-лучевая пушка (от 4 x 15 куб.см до 6 x 40 куб.см) / Лодки Сопротивления

Держатель подложки

Планетарное вращающееся приспособление с нагревом до 300 град.С.

Однородность толщины

<= plus/minus 0.5 percent over 400 mm diameter

Система управления

ПЛК Siemens S7-1500 + промышленный ПК (контроллер осаждения Inficon)

 

Ключевые особенности


Двойной-режим бомбардировки:Перенос кинетической энергии уплотняет пленки при низких температурах подложки, защищая деликатную оптику и полимерные подложки.


Замкнутый-контур ионной стабилизации:Встроенные контроллеры массового расхода поддерживают постоянный поток ионов на протяжении длительного производственного цикла, гарантируя постоянство партии.


Модульная вакуумная камера:Конструкция из нержавеющей стали 304L с электро-полированной внутренней частью (Ra<= 0.2 um) and Conflat metal seals.


Автоматизированное секвенирование:Циклы откачки, осаждения и вентиляции,-управляемые ПЛК,-сводят к минимуму эксплуатационные отклонения.

 

Конфигурация вакуумной системы


Черновые насосы:Безмасляные-сухие корни и пластинчато-роторные насосы.


Высоковакуумный насос:Турбомолекулярный насос на магнитной подвеске (1600 л/с).


Датчики:Комбинированные емкостные манометры Пирани, холодного катода и Баратрона.


Клапан:Пневматические задвижки и угловые клапаны с аппаратной защитной блокировкой.

 

Совместимость материалов для испарения и подложек


Оксиды:SiO2, Ta2O5, TiO2, Nb2O5, Al2O3


Фториды:МгФ2, ЛаФ3


Металлы:Au, Ag, Al, Ti, Cr


Субстраты:Плавленый кварц, BK7, пластины кремния, германий, селенид цинка (ZnSe) и термостойкий полиимид.

 

Приложения


Прецизионная оптика:Узкополосные фильтры и покрытия DWDM, требующие стабильной центральной длины волны.


Лазерная оптика:Отражатели с высоким-порогом-повреждения и просветляющие-покрытия.


Полупроводники и фотоника:Диэлектрические защитные слои, пассивация и оптические волноводы.


Солнечная энергия:Модификация интерфейса прозрачного проводящего оксида (TCO).

 

Кастомизация


Размер камеры:Масштабируемый диаметр от 600 мм до 1200 мм.


Исходный макет:До трех электронно-лучевых пушек и нескольких тепловых источников на платформу.


На-метрологии на месте:Широкополосный оптический мониторинг (BOM) или интеграция кварцевых микровесов (QCM).


Автоматизация:Роботизированные интерфейсы загрузки подложек, соответствующие стандартам SEMI.

 

Контроль качества


Обнаружение утечек:Тестирование гелиевого масс-спектрометра на камеру (чувствительность<= 1 x 10^(-10) Pa*m^3/s).


Поиск компонентов:Промышленные бренды первого уровня (Inficon, MKS, Edwards, Siemens).


Заводская приемка (FAT):72-часовой непрерывный пробный прогон и проверка покрытия, измерение показателя преломления и однородности перед отправкой.

 

Установка и техническая поддержка


Документация:Полный пакет на английском языке, включая электрические схемы, диаграммы P&ID и исходные коды ПЛК.


Выездные службы:Установка «под ключ», вакуумная калибровка и настройка рецептов инженерами по применению.


Удаленная диагностика:Модуль Secure VPN для устранения неполадок программного обеспечения и процессов.

 

Часто задаваемые вопросы

 

Вопрос: Как ионная помощь меняет показатель преломления оксида?

Ответ: Энергичная ионная бомбардировка вытесняет захваченные остаточные газы и уплотняет микроструктуру, сдвигая показатель преломления таких пленок, как Ta2O5 и TiO2, ближе к объемным значениям.

Вопрос: Каков типичный интервал технического обслуживания источника ионов?

О: Интервалы технического обслуживания составляют от 150 до 300 часов обработки, в зависимости от технологических газов и удельной мощности.

Вопрос: Может ли эта система управлять процессами с химически активными газами?

А: Да. Независимые контроллеры массового расхода вводят химически активные газы (O2, N2) непосредственно в зоны источника ионов и камеры, сблокированные с предохранительными реле давления.

 

горячая этикетка : оборудование для ионно-лучевого испарения, Китай оборудование для ионно-лучевого испарения производители, поставщики, завод

Отправить запрос
Связаться с намиесли у вас есть вопросы

Вы можете связаться с нами по телефону, электронной почте или онлайн-форме ниже. Наш специалист свяжется с вами в ближайшее время.

Свяжитесь сейчас!